Корпорация Samsung разработала самые плотные модули оперативной памяти.

Корпорация Samsung разработала самые плотные модули оперативной памяти Стало известно, что корпорация Samsung Electronics использовала 50-нм технологический ход для создания модулей оперативной памяти DDR3, при этом вместимость одного чипа достигла 4 Гб. Использования новых чипов оперативной памяти позволяет созидать планки памяти для портативных компьютеров и ноутбуков объемом 8 Гб, а для настольных компьютеров 16 Гб.

Ещё сообщается, что благодаря плотной сборке может быть достижения объема оперативной памяти 16 Гб и 32 Гб сообразно для мобильных модулей и планок ОЗУ для настольных компьютеров. В первую очередность новые модули оперативной памяти найдут использование в серверных системах, где позволят немаловажно увеличить прыть обработки информации.

Кроме того существуют перспективы использования 50-нм технологического процесса в производстве чипов ОЗУ для ноутбуков благодаря сниженному энергопотреблению, которое без малого на 40 процентов ниже, чем в современных мобильных модулях оперативной памяти.